（来源：快科技）
快科技8月23日消息，半导体行业研究机构SemiAnalysis近日发布系列推文，深入剖析了3D NAND闪存制造从钨（W）向钼（Mo）转型的技术逻辑与产业趋势。
3D NAND约在十年前即停止横向微缩，转而依靠垂直堆叠层数提升存储密度。
然而，当层数突破约300层后，连接各存储单元的钨字线（Word Line）遭遇多重物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺引发漏电问题，且在超深孔结构中无法实现有效填充。
SemiAnalysis明确指出："钼并非优化选项，而是300层以上NAND的必选项。"
相较于钨，钼具备三项核心优势：电阻更低（带来更快读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中的填充能力更佳。
这三点恰好对应钨在深层堆叠中的关键短板，使得材料替换具备技术必然性，而非可选的工程改良。
在厂商技术节点方面，SemiAnalysis梳理了当前各家的层数布局：铠侠/闪迪（Kioxia/SanDisk）为218层，美光（Micron）276层，三星（Samsung）286层，SK海力士（SK Hynix）以321层领先行业。
向3xx至4xx层的跃迁已在推进，SemiAnalysis预估，钼工艺在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，跃升至2027年的约30%。
主要NAND制造商均已明确承诺向钼工艺转换，时间表日渐清晰：三星作为先行者，钼字线产品自2024年起已进入量产。
美光于2025年在Lam Research的ALTUS Halo设备上启动大规模量产；SK海力士则计划于2026年底推出采用钼工艺的375层NAND。
每一次钨转钼的工艺变更，均需配套新型沉积设备。SemiAnalysis估算，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的全球销售额便将突破10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片领域后续跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。
